Infineon Technologies IRG7PSH73K10PBF

工厂交货时间

13 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-274AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 75A, 4.7 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

267 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.15kW

元素配置

Single

功率耗散

1.15kW

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

63 ns

功率 - 最大

1150W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.3V

最大集电极电流

220A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

172 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.3V @ 15V, 75A

关断时间-标准值（toff)

567 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

360nC

集极脉冲电流（Icm）

225A

Td（开/关）@25°C

63ns/267ns

开关能量

7.7mJ (on), 4.6mJ (off)

栅极-发射极Thr电压-最大值

7.5V

高度

20.8mm

长度

16.0782mm

宽度

5.5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅