Infineon Technologies IRGP20B60PDPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.05V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 13A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

115 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2003

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

220W

额定电流

40A

元素配置

Single

功率耗散

220W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

20 ns

晶体管应用

电源控制

上升时间

5ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.8V

最大集电极电流

40A

反向恢复时间

42 ns

JEDEC-95代码

TO-247AC

接通时间

25 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.8V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

138 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

68nC

集极脉冲电流（Icm）

80A

Td（开/关）@25°C

20ns/115ns

开关能量

95μJ (on), 100μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

最大下降时间 (tf)

17ns

高度

20.3mm

长度

15.9mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅