Infineon Technologies PZTA42H6327XTSA1
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PZTA42H6327XTSA1
1211-PZTA42H6327XTSA1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 4-Pin SOT-223 T/R
1最小包装量--
PZTA42H6327XTSA1详情
Infineon Technologies PZTA42H6327XTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
300V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500mV
Power Dissipation (Max)
1.5W
Number of Elements
1
hFEMin
25
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2007
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
基本部件号
PZTA42
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
300V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 30mA 10V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 2mA, 20mA
最高频率
70MHz
转换频率
70MHz
频率转换
70MHz
集电极基极电压(VCBO)
300V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
1.6mm
长度
6.5mm
宽度
3.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PZTA42H6327XTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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