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Infineon Technologies AG IRFR9N20D

Name: IRFR9N20D
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-IRFR9N20D
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRFR9N20D

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-IRFR9N20D

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

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IRFR9N20D Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

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IRFR9N20D详情

技术参数

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Infineon Technologies AG IRFR9N20D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
外壳材料

1
Package Style

小概要
Package Shape

RECTANGULAR
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max

175 °C
Drain Current-Max (ID)

9.4 A
Package Description

PLASTIC, DPAK-3
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Part Life Cycle Code

Obsolete
Rohs Code

无
JESD-609代码

e0
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

240
Reach合规守则

compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)

30
JESD-30代码

R-PSSO-G2
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻

0.38 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

38 A
DS 击穿电压-最小值

200 V
雪崩能量等级（Eas）

100 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流

1

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技术文档: Infineon Technologies AG IRFR9N20D.

数据表 :
0464be0d635b1f90fd5a35a2d0955831.pdf

IRFR9N20D拓展信息

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