IXXN200N60B3
IXXN200N60B3

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥247.084735

  • 10

    ¥233.09881

  • 100

    ¥219.904534

  • 500

    ¥207.45711

  • 1000

    ¥195.714257

IXYS IXXN200N60B3

  • 收藏
  • 对比

型号

IXXN200N60B3

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXXN200N60B3

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
IXXN200N60B3
IXXN200N60B3 IXYS IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT

单价: $

合计:

库存:207

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IXXN200N60B3详情

IXYS IXXN200N60B3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    28 Weeks

  • 底架

    底座安装

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 系列

    XPT™, GenX3™

  • 已出版

    2013

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • 附加功能

    UL 认证

  • 最大功率耗散

    940W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • JESD-30代码

    R-PUFM-X4

  • 配置

    Single

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 功率 - 最大

    940W

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    1.7V

  • 最大集电极电流

    280A

  • 最大集极截止电流

    50μA

  • 输入电容

    9.97nF

  • 接通时间

    140 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    1.7V @ 15V, 100A

  • 关断时间-标准值(toff)

    395 ns

  • IGBT类型

    PT

  • NTC热敏电阻

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 输入电容(Cies)@Vce

    9.97nF @ 25V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: IXYS IXXN200N60B3.

右边的3个型号有着和IXYS & IXXN200N60B3相似的参数规格。

查看更多

IXXN200N60B3拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z