Microchip APT11GF120KRG

底架

通孔

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

12 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

161 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT11GF120KRG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.61

Part Package Code

TO-220AB

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

纯哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

快速切换

子类别

绝缘栅BIP晶体管

最大功率耗散

156 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

25 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

25 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大耗散功率(Abs)

156 W

集电极电流-最大值(IC)

25 A

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

栅极-发射极电压-最大值

30 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5 V

辐射硬化

无

无铅

无铅