Microchip APT25GP120BDQ1G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

Surface Mount, MLCC

包装/外壳

1812 (4532 Metric)

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247 [B]

质量

38.000013 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

VJ1812

厂商

Vishay Vitramon

Product Status

活跃

Voltage Rated

2000V (2kV)

Current-Collector (Ic) (Max)

69 A

Test Conditions

600V, 25A, 5Ohm, 15V

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.3 V

RoHS

Compliant

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Pd - Power Dissipation

417 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Unit Weight

1.340411 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Continuous Collector Current at 25 C

69 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

Continuous Collector Current Ic Max

69 A

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Package Description

ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

26 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

200 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT25GP120BDQ1G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.03

Part Package Code

TO-247

操作温度

-55°C ~ 125°C

系列

VJ OMD

包装

Tube

尺寸/尺寸

0.183 L x 0.126 W (4.65mm x 3.20mm)

容差

±10%

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

温度系数

C0G, NP0

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

敏感型

附加功能

低导通损耗

电容量

82 pF

子类别

IGBTs

最大功率耗散

417 W

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

69 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

引线间距

-

配置

Single

元素配置

Single

引线样式

-

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

417 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

IGBT晶体管

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

69 A

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

JEDEC-95代码

TO-247

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

最大耗散功率(Abs)

417 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 25A

集电极电流-最大值(IC)

69 A

连续集电极电流

69 A

IGBT类型

PT

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

闸门收费

110 nC

集极脉冲电流（Icm）

90 A

Td（开/关）@25°C

12ns/70ns

开关能量

500µJ (on), 440µJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6 V

特征

Soft Termination, High Voltage

产品类别

IGBT晶体管

座位高度(最大)

-

宽度

16.26 mm

高度

5.31 mm

长度

21.46 mm

厚度（最大）

0.086 (2.18mm)

辐射硬化

无

无铅

无铅

评级结果

-