Microchip APT30GS60BRDQ2G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

供应商器件包装

TO-247 [B]

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

54 A

Base Product Number

APT30GS60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 30A, 9.1Ohm, 15V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Pd - Power Dissipation

250 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.8 V

Unit Weight

0.208116 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Continuous Collector Current at 25 C

54 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

系列

*

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

Tube

零件状态

活跃

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

IGBTs

最大功率耗散

250 W

技术

Si

配置

Single

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

250 W

产品类别

IGBT晶体管

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

54 A

反向恢复时间

25 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.15V @ 15V, 30A

IGBT类型

NPT

闸门收费

145 nC

集极脉冲电流（Icm）

113 A

Td（开/关）@25°C

16ns/360ns

开关能量

570µJ (off)

反向恢复时间(trr)

25 ns

产品类别

IGBT晶体管

辐射硬化

无