Microchip APT33GF120BRG

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

供应商器件包装

TO-247 [B]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Turn-off Time-Nom (toff)

284 ns

Turn-on Time-Nom (ton)

85 ns

Manufacturer Part Number

APT33GF120BRG

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

TO-247AD

Package Description

TO-247, 3 PIN

Risk Rank

1.19

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

52 A

Base Product Number

APT33GF120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

-

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Pd - Power Dissipation

297 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Continuous Collector Current at 25 C

52 A

Mounting Styles

通孔

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

快速切换

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率耗散

297

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

297 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-247AD

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.2V @ 15V, 25A

集电极电流-最大值(IC)

52 A

连续集电极电流

52

IGBT类型

NPT

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

闸门收费

170 nC

集极脉冲电流（Icm）

104 A

Td（开/关）@25°C

25ns/210ns

开关能量

2.8mJ (on), 2.8mJ (off)