Microchip APT36GA60BD15

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247 [B]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

65 A

Base Product Number

APT36GA60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Pd - Power Dissipation

290 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Continuous Collector Current at 25 C

65 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

29 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

262 ns

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT36GA60BD15

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.17

Part Package Code

TO-247

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

包装

Tube

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

低导通损耗

子类别

IGBTs

最大功率耗散

290 W

技术

Si

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

290 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

IGBT晶体管

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

65 A

JEDEC-95代码

TO-247

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

最大耗散功率(Abs)

290 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 20A

集电极电流-最大值(IC)

65 A

IGBT类型

PT

集电极-发射器电压-最大值

600 V

闸门收费

18 nC

集极脉冲电流（Icm）

109 A

Td（开/关）@25°C

16ns/122ns

开关能量

307µJ (on), 254µJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6 V

产品类别

IGBT晶体管

辐射硬化

无