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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥51.606115
10
¥48.685012
100
¥45.929261
500
¥43.32949
1000
¥40.876878
APT43GA90BD30详情
Microchip APT43GA90BD30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
1210 (3225 Metric)
安装类型
通孔
供应商器件包装
1210
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number
RN73H2E
厂商
KOA Speer Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
78 A
Test Conditions
600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
Pd - Power Dissipation
337 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Unit Weight
1.340411 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Continuous Collector Current at 25 C
78 A
Mounting Styles
通孔
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
Continuous Collector Current Ic Max
78 A
RoHS
Details
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
900 V
操作温度
-55°C ~ 155°C
系列
RN73H
包装
Tube
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
容差
±0.5%
终止次数
2
温度系数
±100ppm/°C
电阻
759 kOhms
组成
Metal Film
功率(瓦特)
0.25W, 1/4W
子类别
IGBTs
技术
Si
失败率
-
配置
Single
功率耗散
337
输入类型
Standard
功率 - 最大
337 W
产品类别
IGBT晶体管
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
电压 - 集射极击穿(最大值)
900 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.1V @ 15V, 47A
连续集电极电流
78
IGBT类型
PT
闸门收费
116 nC
集极脉冲电流(Icm)
129 A
Td(开/关)@25°C
12ns/82ns
开关能量
875µJ (on), 425µJ (off)
特征
Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant
产品类别
IGBT晶体管
座位高度(最大)
0.028 (0.70mm)
宽度
16.26 mm
高度
5.31 mm
长度
21.46 mm
评级结果
AEC-Q200
APT43GA90BD30拓展信息
Microchip Technology
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