APT43GA90BD30
APT43GA90BD30

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Microchip APT43GA90BD30

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型号

APT43GA90BD30

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APT43GA90BD30

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

1210 (3225 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247

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APT43GA90BD30
APT43GA90BD30 Microchip Trans IGBT Chip N-CH 900V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247

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APT43GA90BD30详情

Microchip APT43GA90BD30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    1210 (3225 Metric)

  • 安装类型

    通孔

  • 供应商器件包装

    1210

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Base Product Number

    RN73H2E

  • 厂商

    KOA Speer Electronics, Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    78 A

  • Test Conditions

    600V, 25A, 4.7Ohm, 15V

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    - 30 V, + 30 V

  • Pd - Power Dissipation

    337 W

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.5 V

  • Unit Weight

    1.340411 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Continuous Collector Current at 25 C

    78 A

  • Mounting Styles

    通孔

  • Manufacturer

    Microchip

  • Brand

    Microchip Technology / Atmel

  • Continuous Collector Current Ic Max

    78 A

  • RoHS

    Details

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    900 V

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    RN73H

  • 包装

    Tube

  • 尺寸/尺寸

    0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)

  • 容差

    ±0.5%

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±100ppm/°C

  • 电阻

    759 kOhms

  • 组成

    Metal Film

  • 功率(瓦特)

    0.25W, 1/4W

  • 子类别

    IGBTs

  • 技术

    Si

  • 失败率

    -

  • 配置

    Single

  • 功率耗散

    337

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    337 W

  • 产品类别

    IGBT晶体管

  • 工作温度范围

    - 55 C to + 150 C

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    900 V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    3.1V @ 15V, 47A

  • 连续集电极电流

    78

  • IGBT类型

    PT

  • 闸门收费

    116 nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    129 A

  • Td(开/关)@25°C

    12ns/82ns

  • 开关能量

    875µJ (on), 425µJ (off)

  • 特征

    Automotive AEC-Q200, Moisture Resistant

  • 产品类别

    IGBT晶体管

  • 座位高度(最大)

    0.028 (0.70mm)

  • 宽度

    16.26 mm

  • 高度

    5.31 mm

  • 长度

    21.46 mm

  • 评级结果

    AEC-Q200

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