Microchip APT50GN60BDQ3G

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-247-3

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Pd - Power Dissipation

366 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.45 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Continuous Collector Current at 25 C

107 A

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

107 A

Base Product Number

APT50GN60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

子类别

IGBTs

技术

Si

配置

Single

功率耗散

366

输入类型

Standard

功率 - 最大

366 W

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.85V @ 15V, 50A

连续集电极电流

107

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

325 nC

集极脉冲电流（Icm）

150 A

Td（开/关）@25°C

20ns/230ns

开关能量

1.185mJ (on), 1.565mJ (off)

反向恢复时间(trr)

35 ns

产品类别

IGBT晶体管