Microchip APTC60AM45BC1G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP1

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

1

供应商器件包装

SP1

Continuous Drain Current Id

49

Package

Bulk

Base Product Number

APTC60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

49A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Number of Elements

3

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

250 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

配置

3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)

功率耗散

250 W

接通延迟时间

21 ns

功率 - 最大

250W

Rds On(Max)@Id,Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 3mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

150nC @ 10V

上升时间

30 ns

漏源电压 (Vdss)

600V

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

49 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

输入电容

7.2 nF

信道型

Dual N

场效应管特性

-

最大rds

45 mΩ

辐射硬化

无