APTC60DDAM70T1G详情
Microchip APTC60DDAM70T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
安装类型
底座安装
包装/外壳
SP1
底架
Chassis Mount, Screw
引脚数
1
供应商器件包装
SP1
Package
Tray
Base Product Number
APTC60
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
39A
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Number of Elements
2
RoHS
Compliant
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
- 30 V, + 30 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Styles
螺钉安装
操作温度
-40 to 85 °C
系列
CoolMOS™
类型
Half Bridge Module
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
子类别
Discrete Semiconductor Modules
最大功率耗散
250 W
技术
MOSFET (Metal Oxide)
配置
2 N Channel (Dual Buck Chopper)
功率耗散
250 W
功率 - 最大
250W
Rds On(Max)@Id,Vgs
70mOhm @ 39A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 2.7mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
259nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
连续放电电流(ID)
39 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
输入电容
7 nF
场效应管特性
逻辑电平门
最大rds
70 mΩ
产品
功率MOSFET模块
APTC60DDAM70T1G拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
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Microchip
Microchip
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