Microchip APTC60HM24T3G

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

表面安装

NO

供应商器件包装

SP3

终端数量

20

晶体管元件材料

SILICON

Continuous Drain Current Id

95

Package

Tray

Base Product Number

APTC60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

95A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Min

-40 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTC60HM24T3G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.74

Drain Current-Max (ID)

95 A

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

CoolMOS™

包装

Tube

ECCN 代码

EAR99

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XUFM-X20

配置

4 N-Channel (Half Bridge)

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

462

功率 - 最大

462W

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

300nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

最大漏极电流 (Abs) (ID)

95 A

漏极-源极导通最大电阻

0.024 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

260 A

DS 击穿电压-最小值

600 V

信道型

Dual N

雪崩能量等级（Eas）

1900 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

超级交界处

产品类别

Discrete Semiconductor Modules