Microchip APTC60VDAM24T3G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

底架

Chassis Mount, Screw

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

SP3

终端数量

20

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

厂商

PEI-Genesis

Product Status

活跃

Continuous Drain Current Id

95

Base Product Number

APTC60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

95A

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

100 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTC60VDAM24T3G

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

95 A

系列

*

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

包装

Tube

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-40 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

子类别

Discrete Semiconductor Modules

最大功率耗散

462 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

25

JESD-30代码

R-XUFM-X20

资历状况

不合格

配置

2 N-Channel (Dual)

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

462

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

21 ns

功率 - 最大

462W

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

300nC @ 10V

上升时间

30 ns

漏源电压 (Vdss)

600V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

连续放电电流(ID)

95 A

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

95 A

漏极-源极导通最大电阻

0.024 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

260 A

输入电容

14.4 nF

DS 击穿电压-最小值

600 V

信道型

Dual N

雪崩能量等级（Eas）

1900 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

462 W

场效应管特性

超级交界处

最大rds

24 mΩ

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

辐射硬化

无