APTC80H29T3G详情
Microchip APTC80H29T3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
底座安装
包装/外壳
矩形盒
供应商器件包装
SP3
介电材料
Polyester, Metallized
Lead Free Status / RoHS Status
--
Voltage Rating DC
--
Voltage Rating AC
250V
Continuous Drain Current Id
15
Package
Bulk
Base Product Number
APTC80
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
15A
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
Details
操作温度
-25°C ~ 70°C
系列
QPC
包装
Bulk
尺寸/尺寸
1.811 L x 0.512 W (46.00mm x 13.00mm)
容差
±10%
零件状态
活跃
终端
--
应用
电机运行
电容量
3µF
子类别
Discrete Semiconductor Modules
技术
MOSFET (Metal Oxide)
引线间距
--
配置
4 N-Channel (Half Bridge)
功率 - 最大
156W
Rds On(Max)@Id,Vgs
290mOhm @ 7.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2254pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
90nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
800V
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
信道型
Dual N
场效应管特性
-
特征
--
产品类别
Discrete Semiconductor Modules
座位高度(最大)
0.965 (24.50mm)
评级结果
--
APTC80H29T3G拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
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Microchip
Microchip
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