APTC90H12SCTG详情
Microchip APTC90H12SCTG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Screw
表面安装
NO
引脚数
4
终端数量
14
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
4
RoHS
Compliant
Package Description
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
APTC90H12SCTG
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Microsemi Corporation
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.71
Drain Current-Max (ID)
30 A
包装
Bulk
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-40 °C
附加功能
AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
最大功率耗散
250 W
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
14
JESD-30代码
R-XUFM-X14
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
250 W
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
900 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
30 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏极-源极导通最大电阻
0.12 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
75 A
输入电容
6.8 nF
DS 击穿电压-最小值
900 V
雪崩能量等级(Eas)
1940 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大rds
120 mΩ
APTC90H12SCTG拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology








哦! 它是空的。