APTC90H12SCTG
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Microchip APTC90H12SCTG

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型号

APTC90H12SCTG

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APTC90H12SCTG

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET N-CH 900V 30A 14-Pin Case SP-4

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APTC90H12SCTG
APTC90H12SCTG Microchip Trans MOSFET N-CH 900V 30A 14-Pin Case SP-4

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APTC90H12SCTG详情

Microchip APTC90H12SCTG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Chassis Mount, Screw

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    4

  • 终端数量

    14

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    4

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X14

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    APTC90H12SCTG

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Microsemi Corporation

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    5.71

  • Drain Current-Max (ID)

    30 A

  • 包装

    Bulk

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE

  • 最大功率耗散

    250 W

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    14

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X14

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    250 W

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    900 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    30 A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20 V

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.12 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    75 A

  • 输入电容

    6.8 nF

  • DS 击穿电压-最小值

    900 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    1940 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大rds

    120 mΩ

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