Microchip APTM100DU18TG

表面安装

NO

材料

Nickel Plated Brass with Thermoplastic Elastomer (TPE) Tubular Sealing Insert

终端数量

12

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTM100DU18TG

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.6

Drain Current-Max (ID)

43 A

JESD-609代码

e1

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

12

JESD-30代码

R-XUFM-X12

资历状况

不合格

配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

43 A

漏极-源极导通最大电阻

0.21 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

172 A

DS 击穿电压-最小值

1000 V

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

780 W