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内地含税价

1

￥1001.36407
10

￥944.683085
100

￥891.210459
500

￥840.764582
1000

￥793.174133

Microchip APTM10HM09FT3G

Name: APTM10HM09FT3G
Brand: Microchip
SKU: 1610-APTM10HM09FT3G
Price: 1001.36 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APTM10HM09FT3G

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APTM10HM09FT3G

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

SP3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET Array Dual N-CH 100V 139A 32-Pin Case SP3

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APTM10HM09FT3G Microchip Trans MOSFET Array Dual N-CH 100V 139A 32-Pin Case SP3

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APTM10HM09FT3G详情

技术参数

Microchip APTM10HM09FT3G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

底座安装
包装/外壳

SP3
供应商器件包装

SP3
Lead Free Status / RoHS Status

--
Continuous Drain Current Id

139
Package

Bulk
Base Product Number

APTM10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

139A
厂商

微芯片技术
Product Status

活跃
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1
Manufacturer

Microchip
Brand

微芯片技术
RoHS

Details
系列

*
操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)
包装

Tube
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

--
子类别

Discrete Semiconductor Modules
技术

MOSFET (Metal Oxide)
配置

4 N-Channel (Half Bridge)
功率耗散

390
功率 - 最大

390W
Rds On(Max)@Id,Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 2.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9875pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

350nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

100V
产品类别

Discrete Semiconductor Modules
信道型

Dual N
场效应管特性

-
产品类别

Discrete Semiconductor Modules

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