Microchip APTM20HM08FG

安装类型

面板安装

包装/外壳

SP6

表面安装

NO

供应商器件包装

SP6

终端数量

12

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating DC

28V

Contact Materials

银合金

Voltage Rating AC

115V

Continuous Drain Current Id

208

Package

Bulk

Base Product Number

APTM20

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

208A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTM20HM08FG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

4

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.21

Drain Current-Max (ID)

208 A

系列

42

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

定位的数量

4

端子表面处理

锡银铜

附加功能

雪崩 额定

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

1A (AC/DC)

引脚数量

12

触点表面处理

--

终端样式

焊片

JESD-30代码

R-XUFM-X12

资历状况

不合格

执行器类型

Flatted (6.35mm Dia)

面板开孔尺寸

--

配置

4 N-Channel (Half Bridge)

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

781

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

781W

甲板数量

2

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10mOhm @ 104A, 10V

操作力

5.761 ~ 83gfm

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

14400pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

280nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

触点定时

Non-Shorting (BBM)

漏极-源极导通最大电阻

0.01 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

832 A

索引停止

固定式

每层电路

DP4T

面板后深度

34.82mm

DS 击穿电压-最小值

200 V

信道型

Dual N

雪崩能量等级（Eas）

3000 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

每个甲板的杆数

2

投掷角度

36°

场效应管特性

-

特征

轴和面板密封

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

执行器长度

11.10mm