Microchip APTM50AM24SG

底架

Socket

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

表面安装

NO

引脚数

8

供应商器件包装

SP6

终端数量

7

晶体管元件材料

SILICON

CoilResistance

10 kΩ

RoHS

Non-Compliant

Continuous Drain Current Id

150

Package

Bulk

Base Product Number

APTM50

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

150A

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APTM50AM24SG

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.61

Drain Current-Max (ID)

150 A

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

-45 °C

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XUFM-X7

资历状况

不合格

配置

2 N-Channel (Half Bridge)

最大额定电压（交流）

120 V

最大额定电流

5 A

操作模式

增强型MOSFET

投掷配置

单刀双掷

箱体转运

ISOLATED

最大额定电压（直流）

28 V

功率 - 最大

1250W

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

28mOhm @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 6mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

19600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

434nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

500V

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

线圈电流

11.5 mA

漏极-源极导通最大电阻

0.024 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

600 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

信道型

Dual N

线圈电压(DC)

110 V

雪崩能量等级（Eas）

1300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

产品类别

Discrete Semiconductor Modules