APTM60H23FT1G
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Microchip APTM60H23FT1G

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型号

APTM60H23FT1G

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-APTM60H23FT1G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

DO-204AL, DO-41, Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans MOSFET Array Dual N-CH 600V 20A 12-Pin Case SP1

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APTM60H23FT1G Microchip Trans MOSFET Array Dual N-CH 600V 20A 12-Pin Case SP1

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APTM60H23FT1G详情

Microchip APTM60H23FT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    DO-204AL, DO-41, Axial

  • 供应商器件包装

    DO-41

  • Package

    Tape & Box (TB)

  • Base Product Number

    P4KE15

  • 厂商

    芯片技术

  • Product Status

    活跃

  • Continuous Drain Current Id

    20

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    20A

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    P4KE-HF

  • 类型

    Zener

  • 应用

    通用型

  • 子类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 配置

    4 N-Channel (Half Bridge)

  • 电源线保护

  • 电压 - 击穿

    14.25V

  • 功率 - 最大

    208W

  • 功率 - 脉冲峰值

    400W

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    18.87A

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    21.2V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    12.8V

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    276mOhm @ 17A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    5316pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    165nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • 产品类别

    Discrete Semiconductor Modules

  • 双向通道

    1

  • 电容@频率

    -

  • 信道型

    Dual N

  • 场效应管特性

    -

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