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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.325407
10
¥4.080575
100
¥3.849594
500
¥3.631697
1000
¥3.426126
Microchip Technology 2N7008-G
- 收藏
- 对比
2N7008-G
1610-2N7008-G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
大陆
立即发货

MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE,60V,7.5 Ohm3 TO-92BAG
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N7008-G详情
Microchip Technology 2N7008-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
230mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
接通延迟时间
20 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
230mA
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
60V
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
高度
5.33mm
长度
5.21mm
宽度
4.19mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2N7008-G拓展信息
Microchip Technology
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