Microchip Technology APT33GF120B2RDQ2G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3 Variant

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Continuous Collector Current at 25 C

64 A

Pd - Power Dissipation

357 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

64 A

Base Product Number

APT33GF120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

800V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

Package Description

ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

31 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

355 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT33GF120B2RDQ2G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.48

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

357 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

64 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

Single

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

357 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

64 A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

最大耗散功率(Abs)

357 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 25A

集电极电流-最大值(IC)

64 A

IGBT类型

NPT

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

闸门收费

170 nC

集极脉冲电流（Icm）

75 A

Td（开/关）@25°C

14ns/185ns

开关能量

1.315mJ (on), 1.515mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5 V

辐射硬化

无

无铅

无铅