Microchip Technology APT35GN120SG/TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

表面安装

YES

供应商器件包装

D3PAK

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

84 A

Test Conditions

800V, 35A, 2.2Ohm, 15V

Base Product Number

APT35GN120

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Pd - Power Dissipation

379 W

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

400

Continuous Collector Current at 25 C

94 A

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

46 ns

Operating Temperature-Min

-55 °C

Turn-off Time-Nom (toff)

465 ns

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

APT35GN120SG/TR

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROCHIP TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.61

系列

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

包装

Reel

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

IGBTs

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

379 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

产品类别

IGBT晶体管

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

最大耗散功率(Abs)

379 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 35A

集电极电流-最大值(IC)

94 A

IGBT类型

NPT, Trench Field Stop

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

闸门收费

220 nC

集极脉冲电流（Icm）

105 A

Td（开/关）@25°C

24ns/300ns

开关能量

-, 2.315mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5 V

产品类别

IGBT晶体管