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价格梯度

内地含税价

1

￥138.99776
10

￥131.129966
100

￥123.707513
500

￥116.7052
1000

￥110.099242

Microchip Technology APT35GP120B2DQ2G

Name: APT35GP120B2DQ2G
Brand: Microchip Technology
SKU: 1610-APT35GP120B2DQ2G
Price: 139 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

APT35GP120B2DQ2G

品牌

Microchip Technology

utmel 编号

1610-APT35GP120B2DQ2G

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector

起订量

--最小包装量--

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APT35GP120B2DQ2G Microchip Technology IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 1200V, TO-247 T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector

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APT35GP120B2DQ2G详情

技术参数

Microchip Technology APT35GP120B2DQ2G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳

TO-247-3
安装类型

通孔
底架

通孔
引脚数

3
RoHS

Details
Mounting Styles

通孔
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1
Unit Weight

1.340411 oz
Package

Tube
Current-Collector (Ic) (Max)

96 A
Base Product Number

APT35GP120
厂商

微芯片技术
Product Status

活跃
Test Conditions

600V, 35A, 4.3Ohm, 15V
Schedule B

8541290080/8541290080
Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV
Voltage Rating (DC)

1.2 kV
包装

Tube
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

POWER MOS 7®
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

543 W
额定电流

96 A
元素配置

Single
输入类型

Standard
功率 - 最大

543 W
集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV
最大集电极电流

96 A
电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 35A
IGBT类型

PT
闸门收费

150 nC
集极脉冲电流（Icm）

140 A
Td（开/关）@25°C

16ns/95ns
开关能量

750µJ (on), 680µJ (off)
辐射硬化

无
无铅

无铅

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