Microchip Technology APT45GP120JDQ2

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

底座安装

包装/外壳

ISOTOP

底架

Chassis Mount, Screw

表面安装

NO

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

螺钉安装

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.3 V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Continuous Collector Current at 25 C

75 A

Pd - Power Dissipation

329 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

75 A

Base Product Number

APT45GP120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

Package Description

ISOTOP-4 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

47 ns

Manufacturer Package Code

ISOTOP

Turn-off Time-Nom (toff)

230 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT45GP120JDQ2

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.5

Part Package Code

ISOTOP

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

低导通损耗

最大功率耗散

329 W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

75 A

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PUFM-X4

资历状况

不合格

配置

Single

元素配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

329 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

75 A

最大集极截止电流

750 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

输入电容

4 nF

最大耗散功率(Abs)

329 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 45A

集电极电流-最大值(IC)

75 A

IGBT类型

PT

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

30 V

输入电容(Cies)@Vce

4 nF @ 25 V

辐射硬化

无

无铅

无铅