Microchip Technology APT50GF120B2RG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

T-Max-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Continuous Collector Current at 25 C

135 A

Pd - Power Dissipation

781 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Gate-Emitter Leakage Current

100 nA

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

135 A

Base Product Number

APT50GF120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

800V, 50A, 1Ohm, 15V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

Turn Off Delay Time

260 ns

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

781 W

额定电流

156 A

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

781

输入类型

Standard

接通延迟时间

25 ns

功率 - 最大

781 W

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

135 A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 50A

最大结点温度（Tj）

150 °C

连续集电极电流

135

IGBT类型

NPT

闸门收费

340 nC

集极脉冲电流（Icm）

150 A

Td（开/关）@25°C

25ns/260ns

开关能量

3.6mJ (on), 2.64mJ (off)

高度

25.96 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅