Microchip Technology APT64GA90LD30

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-264-3

安装类型

通孔

底架

通孔

供应商器件包装

TO-264 [L]

质量

10.6 g

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

900 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 20 V, + 20 V

Continuous Collector Current at 25 C

117 A

Pd - Power Dissipation

500 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Continuous Collector Current Ic Max

117 A

Gate-Emitter Leakage Current

100 nA

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Tradename

POWER MOS 8

Unit Weight

0.373904 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

117 A

Base Product Number

APT64GA90

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

900 V

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

500 W

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

500

输入类型

Standard

功率 - 最大

500 W

集电极发射器电压(VCEO)

900 V

最大集电极电流

117 A

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

电压 - 集射极击穿（最大值）

900 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.1V @ 15V, 38A

连续集电极电流

117 A

IGBT类型

PT

闸门收费

162 nC

集极脉冲电流（Icm）

193 A

Td（开/关）@25°C

18ns/131ns

开关能量

1192µJ (on), 1088µJ (off)

高度

5.21 mm

长度

26.49 mm

宽度

20.5 mm

辐射硬化

无