Microchip Technology APT68GA60LD40

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

底架

通孔

供应商器件包装

TO-264 [L]

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

600 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2 V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Continuous Collector Current at 25 C

121 A

Pd - Power Dissipation

520 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

121 A

Base Product Number

APT68GA60

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600 V

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

520 W

配置

Single

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

520 W

集电极发射器电压(VCEO)

600 V

最大集电极电流

121 A

反向恢复时间

22 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

600 V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 40A

IGBT类型

PT

闸门收费

198 nC

集极脉冲电流（Icm）

202 A

Td（开/关）@25°C

21ns/133ns

开关能量

715µJ (on), 607µJ (off)

反向恢复时间(trr)

22 ns

辐射硬化

无