Microchip Technology APT75GN120JDQ3

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

包装/外壳

SOT-227-4

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

供应商器件包装

ISOTOP®

质量

30.000004 g

RoHS

Details

Mounting Styles

螺钉安装

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7 V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Continuous Collector Current at 25 C

124 A

Pd - Power Dissipation

379 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Continuous Collector Current Ic Max

124 A

Gate-Emitter Leakage Current

600 nA

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

1.058219 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

124 A

Base Product Number

APT75GN120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

379 W

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

379

功率 - 最大

379 W

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

124 A

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

最大集极截止电流

200 µA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

输入电容

4.8 nF

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 75A

连续集电极电流

124 A

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

4.8 nF @ 25 V

高度

9.6 mm

长度

38.2 mm

宽度

25.4 mm

辐射硬化

无