Microchip Technology DN2535N5-G

工厂交货时间

5 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

6.000006g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

500mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

15W Tc

Turn Off Delay Time

15 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

低阈值

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

通道数量

1

元素配置

Single

功率耗散

15W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

10 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

25 Ω @ 120mA, 0V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

300pF @ 25V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

20 ns

连续放电电流(ID)

500mA

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.5A

漏源击穿电压

350V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

0.5A

场效应管特性

耗尽模式

高度

9.02mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅