LND01K1-G
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Microchip Technology LND01K1-G

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型号

LND01K1-G

utmel 编号

1610-LND01K1-G

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-74A, SOT-753

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

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LND01K1-G
LND01K1-G Microchip Technology MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

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LND01K1-G详情

Microchip Technology LND01K1-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-74A, SOT-753

  • 引脚数

    5

  • 质量

    29.993795mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    330mA Tj

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    0V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    360mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    1 ns

  • 操作温度

    -25°C~125°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2014

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    360mW

  • 接通延迟时间

    3.8 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.4 Ω @ 100mA, 0V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    46pF @ 5V

  • 上升时间

    11ns

  • Vgs(最大值)

    +0.6V, -12V

  • 下降时间(典型值)

    6.4 ns

  • 连续放电电流(ID)

    330mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    600mV

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.33A

  • 漏源击穿电压

    9V

  • 场效应管特性

    耗尽模式

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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