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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.993598
10
¥3.767543
100
¥3.554286
500
¥3.353104
1000
¥3.163306
Microchip Technology LND01K1-G
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- 对比
LND01K1-G
1610-LND01K1-G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-74A, SOT-753
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MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
--最小包装量--
¥
总价: ¥
LND01K1-G详情
Microchip Technology LND01K1-G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74A, SOT-753
引脚数
5
质量
29.993795mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
330mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
360mW Ta
Turn Off Delay Time
1 ns
操作温度
-25°C~125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
360mW
接通延迟时间
3.8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ω @ 100mA, 0V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
46pF @ 5V
上升时间
11ns
Vgs(最大值)
+0.6V, -12V
下降时间(典型值)
6.4 ns
连续放电电流(ID)
330mA
栅极至源极电压(Vgs)
600mV
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.33A
漏源击穿电压
9V
场效应管特性
耗尽模式
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
LND01K1-G拓展信息
Microchip Technology
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