Microchip Technology LND150N3-G

工厂交货时间

8 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

219.992299mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

0V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

740mW Ta

Turn Off Delay Time

100 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

高输入阻抗

端子位置

BOTTOM

通道数量

1

元素配置

Single

功率耗散

740mW

接通延迟时间

90 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1000 Ω @ 500μA, 0V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10pF @ 25V

上升时间

450ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

450 ns

连续放电电流(ID)

30mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

500V

场效应管特性

耗尽模式

高度

5.33mm

长度

5.21mm

宽度

4.19mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅