LND150N3-G-P014
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Microchip Technology LND150N3-G-P014

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型号

LND150N3-G-P014

utmel 编号

1610-LND150N3-G-P014

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET,DEPLETION-MODE,500V,1K Ohm3 TO-92AMMO

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LND150N3-G-P014 Microchip Technology MOSFET,DEPLETION-MODE,500V,1K Ohm3 TO-92AMMO

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LND150N3-G-P014详情

Microchip Technology LND150N3-G-P014重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

  • 质量

    453.59237mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    30mA Tj

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    0V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    740mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    100 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Box (TB)

  • 已出版

    2014

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子位置

    BOTTOM

  • JESD-30代码

    O-PBCY-T3

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 接通延迟时间

    90 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1000 Ω @ 500μA, 0V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    10pF @ 25V

  • 上升时间

    450ns

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    1.3 μs

  • 连续放电电流(ID)

    30mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.03A

  • 漏源击穿电压

    500V

  • 场效应管特性

    耗尽模式

  • 高度

    5.33mm

  • 长度

    5.21mm

  • 宽度

    4.19mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Microchip Technology LND150N3-G-P014.

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右边的3个型号有着和Microchip Technology & LND150N3-G-P014相似的参数规格。

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LND150N3-G-P014拓展信息

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