Microchip Technology TN2640LG-G

工厂交货时间

5 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

质量

84.99187mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

260mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.3W Ta

Turn Off Delay Time

20 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 2mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH INPUT IMPEDANCE, LOW THRESHOLD

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.3W

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5 Ω @ 500mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225pF @ 25V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

260mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.26A

漏极-源极导通最大电阻

5Ohm

漏源击穿电压

400V

高度

1.65mm

长度

4.9mm

宽度

3.9mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant