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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.383426
10
¥6.022101
100
¥5.681221
500
¥5.359644
1000
¥5.056268
Microchip Technology TP0606N3-G-P003
- 收藏
- 对比
TP0606N3-G-P003
1610-TP0606N3-G-P003
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
大陆
立即发货

MOSFET,P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,-60V,3.5 Ohm3 TO-92T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TP0606N3-G-P003详情
Microchip Technology TP0606N3-G-P003重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
320mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子位置
BOTTOM
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.5 Ω @ 750mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 25V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
320mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-60V
高度
5.33mm
长度
5.21mm
宽度
4.19mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
TP0606N3-G-P003拓展信息
Microchip Technology
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