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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥52.710051
10
¥49.726462
100
¥46.911756
500
¥44.256379
1000
¥41.751299
Microchip Technology VN0550N3-G-P013
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- 对比
VN0550N3-G-P013
1610-VN0550N3-G-P013
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
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MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
--最小包装量--
¥
总价: ¥
VN0550N3-G-P013详情
Microchip Technology VN0550N3-G-P013重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
5 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
50mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Tc
Turn Off Delay Time
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
60 Ω @ 50mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
55pF @ 25V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
50mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.05A
DS 击穿电压-最小值
500V
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
高度
5.33mm
长度
5.21mm
宽度
4.19mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
VN0550N3-G-P013拓展信息
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