注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.22891
10
¥9.649911
100
¥9.103692
500
¥8.588387
1000
¥8.102255
Microchip Technology VN2460N3-G-P014
- 收藏
- 对比
VN2460N3-G-P014
1610-VN2460N3-G-P014
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
立即发货

MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,600V,20 Ohm3 TO-92AMMO
--最小包装量--
¥
总价: ¥
VN2460N3-G-P014详情
Microchip Technology VN2460N3-G-P014重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
160mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Box (TB)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
BOTTOM
JESD-30代码
O-PBCY-T3
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
20 Ω @ 100mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 2mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
150pF @ 25V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
160mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
25Ohm
DS 击穿电压-最小值
600V
反馈上限-最大值 (Crss)
25 pF
高度
5.33mm
长度
5.21mm
宽度
4.19mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
VN2460N3-G-P014拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology







哦! 它是空的。