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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.847705
10
¥12.12048
100
¥11.434415
500
¥10.787178
1000
¥10.176587
Microchip Technology VN3205N3-G-P002
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- 对比
VN3205N3-G-P002
1610-VN3205N3-G-P002
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
立即发货

MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE,50V,0.3 Ohm3 TO-92RVT/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
VN3205N3-G-P002详情
Microchip Technology VN3205N3-G-P002重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
453.59237mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.2A Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Tc
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
高输入阻抗
端子位置
BOTTOM
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
300m Ω @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 10mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
300pF @ 25V
上升时间
15ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
25 ns
连续放电电流(ID)
1.2A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
50V
高度
5.33mm
长度
5.21mm
宽度
4.19mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
VN3205N3-G-P002拓展信息
Microchip Technology
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