Microchip Technology VP2106N3-G

工厂交货时间

6 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

250mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Tc

Turn Off Delay Time

5 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

高输入阻抗

端子位置

BOTTOM

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

740mW

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

12 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

60pF @ 25V

上升时间

5ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

250mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.25A

漏源击穿电压

-60V

反馈上限-最大值 (Crss)

8 pF

高度

5.33mm

长度

5.21mm

宽度

4.19mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant