Microsemi Corporation APTGL180A120T3AG

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP3

引脚数

20

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~175°C TJ

已出版

2009

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

20

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

940W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

25

配置

半桥

元素配置

Dual

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

940W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

230A

最大集极截止电流

300μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

9.3nF

接通时间

185 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.2V @ 15V, 150A

关断时间-标准值（toff)

430 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

NTC热敏电阻

有

输入电容(Cies)@Vce

9.3nF @ 25V

VCEsat-最大值

2.2 V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准