注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.378287
10
¥0.356874
100
¥0.336675
500
¥0.317617
1000
¥0.299639
Nexperia USA Inc. BC857BV,115
- 收藏
- 对比
BC857BV,115
1729-BC857BV,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT666
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC857BV,115详情
Nexperia USA Inc. BC857BV,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
400mV
Number of Elements
2
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
200mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BC857BV
引脚数量
6
极性
PNP
元素配置
Dual
功率耗散
200mW
正向电流
15mA
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
正向电压
1V
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最大重复反向电压(Vrrm)
70V
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
45V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
100mA
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC857BV,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.







哦! 它是空的。