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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥3.888249
10
¥3.66816
100
¥3.460531
500
¥3.264651
1000
¥3.079855
Nexperia USA Inc. BSH105,235
- 收藏
- 对比
BSH105,235
1729-BSH105,235
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET N-CH 20V 1.05A SOT23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSH105,235详情
Nexperia USA Inc. BSH105,235重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.05A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Power Dissipation (Max)
417mW Ta
Turn Off Delay Time
45 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
570mV @ 1mA
Number of Elements
1
已出版
1998
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
417mW
接通延迟时间
2 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
200m Ω @ 600mA, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
152pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3.9nC @ 4.5V
上升时间
4.5ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
4.5 ns
连续放电电流(ID)
1.05A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大双电源电压
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.25Ohm
漏源击穿电压
20V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSH105,235拓展信息
Nexperia USA Inc.
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