Nexperia USA Inc. BSP100,135

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

8.3W Tc

Turn Off Delay Time

21 ns

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

8.3W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 2.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

250pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6nC @ 10V

上升时间

8ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

15 ns

连续放电电流(ID)

6A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3.5A

漏源击穿电压

30V

栅源电压

2 V

关断时间-最大值（toff)

75ns

高度

6.35mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅