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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.765341
10
¥1.665416
100
¥1.571147
500
¥1.482214
1000
¥1.398315
Nexperia USA Inc. BSS87,115
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- 对比
BSS87,115
1729-BSS87,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-243AA
大陆
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In a Pack of 10, N-Channel MOSFET, 400 mA, 200 V, 3-Pin SOT-89 Nexperia BSS87, 115
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSS87,115详情
Nexperia USA Inc. BSS87,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
表面安装
YES
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
400mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
580mW Ta 12.5W Tc
Turn Off Delay Time
49 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
3Ohm
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3 Ω @ 400mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
120pF @ 25V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
400mA
阈值电压
2.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
200V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.4A
漏源击穿电压
200V
高度
1.6mm
长度
4.6mm
宽度
2.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSS87,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
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