Nexperia USA Inc. BUK762R0-40E,118
- 收藏
- 对比
BUK762R0-40E,118
1729-BUK762R0-40E,118
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
1最小包装量--
BUK762R0-40E,118详情
Nexperia USA Inc. BUK762R0-40E,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
293W Tc
Turn Off Delay Time
79 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2014
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
附加功能
雪崩 额定
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
29 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
8500pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
109.2nC @ 10V
上升时间
36ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
46 ns
连续放电电流(ID)
120A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
40V
漏极-源极导通最大电阻
0.002Ohm
漏源击穿电压
40V
达到SVHC
not_compliant
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK762R0-40E,118拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.







哦! 它是空的。