Nexperia USA Inc. BUK7880-55/CUF
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BUK7880-55/CUF
1729-BUK7880-55/CUF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
1最小包装量--
BUK7880-55/CUF详情
Nexperia USA Inc. BUK7880-55/CUF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
触点镀层
Tin
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Turn Off Delay Time
18 ns
Power Dissipation (Max)
8.3W Tc
Number of Elements
1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A Ta
已出版
2016
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~150°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
9 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
80m Ω @ 5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
500pF @ 25V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±16V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
3.5A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7.5A
漏极-源极导通最大电阻
0.08Ohm
DS 击穿电压-最小值
55V
雪崩能量等级(Eas)
30 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BUK7880-55/CUF拓展信息
Nexperia USA Inc.
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